ППиЭBМ (п.п. приборы и элем. интегральных микросхем), 8029-269-85-73, andy02@mail.ru Андрей.

 две задачи: 23,46.

ТЕКСТ задач:

23.  Из вольт-амперной  характеристики, измеренной на внешних  выводах реального диода с р-n переходами, следует, что при прямом токе 104 мА наклон характеристики равен 10,25 Ом, а при токе 10 мА напряжение (на выводах) равно 0,8 В. Рассчитайте: 1) сопротивление объема диода; 2) обратный ток насыщения.

 

 

46.  Кремниевый  диод  полностью  открыт,  величина  тока  насыщения IS = 5*10-13 A; ширина базы – 10 мкм; коэффициент диффузии неосновных носителей в базе Dp = 12 см2/с; время жизни неосновных носителей в базе τP=10-6С. Температура Т = 300 К. Определить диффузионную емкость СДИФ. Падением напряжения в объеме базы можно пренебречь.