Электронные приборы. Хандогин М.С, БГУИР 2005 (Мет. пособие)

Дата: Вс, 09/23/2012 - 18:49; Автор: pragma
Название: 
Электронные приборы
Авторы: 
Хандогин М.С
Издательство: 
БГУИР
Год издания: 
2005
Тип: 
Методическое пособие
Примечания: 

В учебном пособии излагаются физические основы электронных приборов. Рассматриваются режимы работы, характеристики и параметры, а также конструк-тивные особенности различных приборов и области их применения в радиоэлектронной аппаратуре.

Содержание: 

1. Введение. Общие сведения об электронных приборах....................................... 6

1.1. Определение электронных приборов. Классификация электронных
приборов ................................................................................................................... 6
1.2. Режимы и параметры электронных приборов ............................................... 7
2. Полупроводниковые приборы ............................................................................... 8
2.1. Физические явления в полупроводниках ....................................................... 8
2.2. Токи в полупроводниках................................................................................ 13
2.3. Уравнение непрерывности............................................................................. 15
2.4. Электрические переходы в полупроводниковых приборах ....................... 16
2.5. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии........................ 17
2.6. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.................... 21
2.7. Вольт-амперная характеристика p-n перехода ............................................ 23
2.8. Пробой p-n перехода....................................................................................... 25
2.9. Емкости p-n перехода ..................................................................................... 27
2.10. Полупроводниковые диоды ......................................................................... 27
2.11. Общие параметры диодов ............................................................................ 28
2.12. Выпрямительные диоды............................................................................... 29
2.13 Полупроводниковые стабилитроны............................................................. 31
2.14 Импульсные диоды........................................................................................ 33
2.15 Варикапы ........................................................................................................ 36
2.16 Туннельные и обращённые диоды ............................................................... 38
2.17 Параметры туннельных диодов....................................................................39
3. Биполярные транзисторы ..................................................................................... 42
3.1. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов ..................... 42
3.2. Режимы работы биполярных транзисторов ................................................. 44
3.3. Физические процессы в биполярном транзисторе в активном режиме.... 45
3.4. Модель Эберса-Молла.................................................................................... 48
3.5. Статические характеристики биполярных транзисторов в схеме с ОБ .... 49
3.6. Статические характеристики транзисторов в схеме с ОЭ......................... 51
3.7. Дифференциальные параметры транзисторов. Системы параметров....... 53
3.8. Система Z-параметров.................................................................................... 54
3.9. Система Y – параметров................................................................................. 55
3.10. Система H – параметров............................................................................... 56
3.11. Определение дифференциальных h – параметров по статическим
характеристикам транзистора............................................................................... 57
3.12. Физические параметры транзисторов......................................................... 58
3.13. Зависимость статических характеристик транзисторов от температуры60
3.14. Т-образная схема замещения транзистора на низких частотах ............... 62
3.15. Связь физических параметров транзистора с h–параметрами
четырехполюсника................................................................................................. 65
3.16. Работа биполярного транзистора в режиме усиления..............................67
3.17. Графоаналитический расчет рабочих параметров транзистора...............69
3.18. Частотные свойства биполярных транзисторов........................................72
3.19. Эквивалентные схемы транзисторов на высоких частотах......................76
3.20. Работа транзистора в импульсном режиме................................................77
3.21. Классификация транзисторов по мощности и частоте.............................80
3.22. Методы формирования транзисторных структур и конструкции транзисторов различного назначения..................................................................81
4. Полевые транзисторы...........................................................................................83
4.1. Общие сведения о полевых транзисторах....................................................83
4.2. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом..................................84
4.3. Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом...............................................................................................................87
4.4. Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл-полупроводник.......................................................................................................89
4.5. Полевые транзисторы с изолированным затвором.....................................90
4.6. Статические характеристики МДП-транзисторов.......................................92
4.7. Влияние температуры на вольтамперные характеристики полевых транзисторов...........................................................................................................94
4.8. Дифференциальные параметры полевых транзисторов.............................95
4.9. Частотные свойства полевых транзисторов и эквивалентные схемы.......97
4.10. Работа полевого транзистора в режиме усиления.....................................98
5. Приборы с зарядовой связью (ПЗС)..................................................................101
5.1. Устройство и принцип действия ПЗС.........................................................101
5.2. Параметры приборов с зарядовой связью..................................................104
5.3. Применение ПЗС...........................................................................................105
6. Тиристоры............................................................................................................109
6.1. Общие сведения о тиристорах.....................................................................109
6.2. Триодные тиристоры....................................................................................112
6.3. Симметричные тиристоры (симисторы)....................................................112
6.4. Однопереходные транзисторы....................................................................114
7. Электронные лампы............................................................................................115
7.1. Общие сведения............................................................................................115
7.2. Многоэлектродные лампы...........................................................................119
7.3. Действующий потенциал тетродов и пентодов.........................................121
7.4. Статические характеристики и параметры электронных ламп................124
7.5. Дифференциальные параметры электронных ламп..................................126
7.6. Особенности электронных ламп СВЧ диапазона......................................128
7.7. Мощные электронные лампы......................................................................129
8. Приборы для отображения информации..........................................................132
8.1. Классификация приборов для отображения информации........................132
8.2. Электронно-лучевые приборы.....................................................................134
8.3. Электронный прожектор с магнитной фокусировкой..............................136
8.4. Типы отклоняющих систем электронно-лучевых трубок........................136
8.5. Экраны электронно-лучевых трубок..........................................................141
8.6. Типы электронно-лучевых трубок..............................................................143
8.7. Газоразрядные индикаторные приборы.....................................................152
8.8. Жидкокристаллические индикаторы (ЖКИ).............................................154
8.9. Полупроводниковые индикаторы...............................................................158
8.10. Фотоэлектрические приборы.....................................................................161
8.11. Оптоэлектронные приборы........................................................................169
8.12. Элементная база оптронов.........................................................................173
8.13. Параметры и характеристики оптопар и оптоэлектронных интегральных микросхем.............................................................................................................174
8.14. Оптоэлектронные микросхемы и другие приборы оптронного типа....177
9. Шумы полупроводниковых приборов..............................................................182
Заключение...............................................................................................................185
Литература…………………………………………………………………………187
Скачать: 
application/pdf иконкаEP.pdf