Шпора по ЭП, 1ый семестр. (Мельников) [55/57 вопросов]

Название: 
Шпора по ЭП
Скачать: 
Примечания: 

 

Список вопросов
Список вопросов: 

1.               Собственная и примесная проводимость полупроводников.   Электропроводность
полупроводников.

2.               P-N переход в состоянии равновесия

3.               P-N переход под действием внешних напряжений. Вольт-амперная характеристика,
параметры.

4.               Диоды. Классификация. Отличие между P-N переходом и диодом. Пробой диодов.

5.               Выпрямительные диоды.

6.               Стабилитроны.

7.               Варикапы, туннельные и обращенные диоды.

8.               Диоды Шотки. Переход металл-полупроводник.

9.               Полевой транзистор с управляющим P-N переходом. Принцип действия,
характеристики, параметры.

10.        Эффекты поля.

11.        Полевой транзистор с индуцированным каналом. Принцип действия,
характеристики, параметры.

12.        Полевой транзистор со встроенным каналом. Принцип действия, характеристики,
параметры.

13.        Эквивалентные схемы полевых транзисторов.

14.        Биполярный транзистор. Принцип действия. Уравнения токораспределения.

15.        Режимы работы транзистора. Схемы включения транзисторов.

16.        Статические характеристики транзистора с общей базой.

17.        Статические характеристики транзистора с общим эмиттером.

18.        Эквивалентные схемы биполярного транзистора для включения с ОБ и ОЭ.

19.        Работа транзистора с нагрузкой. Рабочая область.

20.   Работа транзистора в импульсном режиме. Эквивалентные схемы, параметры.

21.        Частотные свойства транзистора.

22.        Схемы задания рабочего режима для биполярных транзисторов в различных схемах
включения.

23.   Схемы задания рабочего режима для полевых транзисторов

24.   Усилители. Основные характеристики, параметры.

25.   Линейные и нелинейные искажения усилителей.

26.   Обратные связи в усилителях.

27.   Одиночный каскад усиления на биполярном транзисторе с общим эмиттером

28.   Одиночный каскад усиления на биполярном транзисторе с общей базой

29.   Одиночный каскад усиления на биполярном транзисторе с общим коллектором

30.        Усилители постоянного тока. Назначение, параметры, основные особенности.

31.        Методы борьбы с дрейфом нуля. Местные отрицательные обратные связи.

32.        Методы борьбы с дрейфом нуля. Глубокие отрицательные обратные связи.

33.        Методы борьбы с дрейфом нуля. Балансные (мостовые схемы).

34.   Дифференциальный каскад.

35.   Метод модуляции - демодуляции

36.   Комбинированные методы борьбы с дрейфом нуля.

37.   Операционные усилители.

38.        Линейные схемы на операционном усилителе.

39.   Нелинейные схемы на операционном усилителе

40.   Моделирование математических операций с помощью операционных усилителей.

41.   Оптоэлектроника.

42.   Элементы оптоэлектроники. Фотоприборы.

43.        Элементы оптоэлектроники. Светоприборы.

44.   Оптроны.

45.  Простейший ключ на биполярном транзисторе. Статические и динамические
параметры ключа

46.  Усовершенствованные ключина биполярном транзисторе.

47.  Ключ на переключателе тока.

48.  Ключи на полевых транзисторах.

49.  Логические элементы. Основные параметры и особенности

50.       Простейшие логические элементы на биполярных транзисторах.

51.       Элемент ТТЛ со сложным инвертором.

52.       n-МОП логический элемент (типов И-НЕ и ИЛИ-НЕ)

53.  р-МОП логический элемент (типов И-НЕ и ИЛИ-НЕ)

54.       КМОП логический элемент

55.  Триггерная ячейка.

56.       Триггер с раздельным запуском.

57.  Тиристоры.