Шпоры (ИИТ) [43/50 вопросов]

Название: 
Шпоры (ИИТ)
Скачать: 
Примечания: 

ИИТ, 1-й курс, 2-й семестр

Список вопросов
Список вопросов: 

1.    Вольт-амперная характеристика тиристора.
2.    Выпрямительный диод. Диод Шоттки. Параметры.
3.    Основные характеристики биполярного транзистора.
4.    Интегральная микросхема ИМС. Классификация.
5.    Частотные свойства биполярного транзистора
6.    Конструкция пленочной интегральной микросхемы.
7.    Схема включения биполярного транзистора с нагрузкой в цепи коллектора. Построение нагрузочной прямой.
8.    Оптоэлектронные приборы. Принцип действия. Применение.
9.    Принцип работы биполярного транзистора
10.    МДП-транзистор с встроенным каналом.
11.    Примесная проводимость полупроводников.
12.    Приборы с зарядовой связью (ПЗС).
13.    Ключ на биполярном транзисторе
14.    Применение тиристора.
15.    Стабилитрон. Вольт-амперная характеристика
16.    Принцип действия тиристоров.
17.    Фоторезистор. Принцип действия. Применение.
18.    Графический расчет цепи диода с резистивной нагрузкой.
19.    Схема Дарлингтона.
20.    Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером.
21.    Контакт полупроводник – полупроводник. p-n переход.
22.    Разновидности МДП транзисторов
23.    Свойства полупроводников. Основные материалы.
24.    Светодиод. Принцип действия.Параметры.
25.    Импульсные диоды. Частотные ограничения в импульсных диодах
26.    Разновидность тиристорных приборов.
27.    Вольт-амперная характеристика p-n перехода.
28.    Схемы включения МДП транзисторов
29.    Контакт металл – полупроводник
30.    Расчет цепи диода с резистивной нагрузкой.
31.    Пассивные элементы пленочных ИМС.
32.    Фототранзистор. Принцип действия.Параметры.
33.    Варикап. Применение варикапов
34.    Частотные свойства МДП транзистора.
35.    Удельная проводимость полупроводников
36.    Пороговое напряжение включения МДП транзистора
37.    Уровень Ферми собственных и примесных полупроводников
38.    Конструкция полупроводниковой интегральной микросхемы.
39.    Параметры биполярного транзистора: коэффициент передачи и усиления по току.
40.    Расчет параметров светодиода.
41.    Транзисторы, диоды полупроводниковых ИМС, и их отличие от дискретных.
42.    Расчет цепи стабилитрона с  R ограничит
43.    Особенности работы биполярного транзистора на высоких частотах.
44.    Симистор.Принцип работы.вольт-амперная характеристика..
45.    Собственная проводимость полупроводников
46.    МДП транзистор с индуцированным каналом
47.    Тунельный диод.Принцип работы.Применение.
48.    Схема включения биполярного транзистора с общим коллектором
49.    Фотодиод.Принцип работы,параметры.
50.    Принцип работы МДП-транзистораХарактеристики МДП транзистора.